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NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS 晶體管是MRFX系列射頻 (RF) MOSFET晶體管,此系列器件采用了最新的LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)技術。MRFX1K80H運用LDMOS技術來提高寬頻應用的輸出功率,同時維持適當的輸出阻抗。
NXP MRFX1K80H LDMOS晶體管能在65V連續波時提供1800W功率,適用于1.8至 MHz的射頻應用,并且能在所有相角下提供65:1的電壓駐波比 (VSWR)。此器件提供50Ω匹配阻抗,可縮短整體開發時間。MRFX1K80H 設計用于到65V擴展級電源范圍,并具備高擊穿電壓特性,能增強可靠性,提升效率。這種耐高壓特性還可降低系統電流,從而限制直流電源上的應力并減少磁輻射。高輸出功率還能減少晶體管數,簡化功率放大器復雜度,并降低整體成本。
MRFX1K80H適用于具有適當偏置的線性應用,并提供集成靜電放電 (ESD) 防護,改善C類放大器運行性能。MRFX1K80H的目標應用包括工業、科學與醫療 (ISM) 應用以及廣播、航空航天與移動無線電設備
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